Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Proyecto de I+D+i:
"Fabrication of AlGaN/GaN High Mobility Transistors grown on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates" Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con la línea de investigación de: SENSORES Y DETECTORES DE UV, TRANSISTORES HEMT
Internacional
No
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Entidad financiadora
Min. Educación y Ciencia. CSIC-CNM-UPM. Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Tamaño de la entidad
Desconocido
Fecha concesión
01/01/2005
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Director: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Participante: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Participante: Alejandro Francisco Braña De Cal (UPM)
  • Participante: Fernando González-Posada Flores (UPM)
  • Participante: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
  • Participante: Fatima Romero Rojo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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