Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Project:
Películas delgadas de materiales piezoeléctricos para aplicaciones en resonadores de ondas acústicas de volumen: nitruro de aluminio y nuevos óxidos complejos ferroeléctricos
Year:2007
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
En el presente proyecto se pretende estudiar las propiedades del AlN como material piezoeléctrico para la fabricación de resonadores de ondas acústicas en volumen (BAW) con aplicaciones en la fabricación de filtros electrónicos a frecuencias de GHz (telefonía móvil, radar, etc.). El AlN es un material ya establecido para esta aplicación y, aunque ya empieza a haber algunos intentos de ponerlo en producción, aun quedan aspectos a estudiar de sus propiedades de gran importancia. Además de otras propiedades más básicas, el comportamiento no lineal y la resistencia a altas potencias a las frecuencias de trabajo (de 2 a 5 GHz) son aspectos que deben de ser estudiados. La compatibiliza del AlN con las tecnologías de fabricación de circuitos electrónicos sobre Si y SiGe hacen de él un material muy apropiado para la integración de filtros con la electrónica asociada. Sin embargo, presenta una limitación intrínsecamente unida a su coeficiente piezoeléctrica: la limitación del ancho de banda de los filtros que se pueden fabricar con él. Para conseguir filtros más anchos, se necesitan piezoeléctricos mejores. Una de las alternativas es el uso de ferroeléctricos. Esta opción, es aun un mero proyecto ya que no existen aun publicados estudios del crecimiento de estos materiales en forma de película delgada sobre capas metálicas. Tan solo se han explorado algunas peroskitas como el PZT que presentan muchas pérdidas acústicas a altas frecuencias siendo totalmente inviable su utilización. Los óxidos complejos con estructura de tungsteno-bronce con un solo eje de polarización parecen ser los materiales más prometedores aunque será necesario aun muchos años de desarrollo hasta que se empiecen a ver dispositivos hechos con ellos. En un segundo aspecto de este proyecto, se propone, con un riesgo considerablemente más alto que en el caso del AlN, el estudio de materiales como los descritos, en particular el sistema KLN (Potasio, Litio y Niobio), como posibles candidatos a cumplir las especificaciones necesarias para trabajar en filtros BAW a altas frecuencias.
International
No
Project type
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Company
Ministerio de Educación y Ciencia
Entity Nationality
Sin nacionalidad
Entity size
Desconocido
Granting date
10/10/2007
Participants
  • Participante: Jacobo Santamaria (Universidad Complutense de Madrid)
  • Director: Enrique Iborra Grau (UPM)
  • Participante: Javier Malo Gomez (UPM)
  • Participante: Marta Clement Lorenzo (UPM)
  • Participante: Sheila González Castilla (UPM)
  • Participante: Jose Ignacio Izpura Torres (UPM)
  • Participante: Lucía Vergara Herrero (UPM)
  • Participante: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Participante: Jimena Olivares Roza (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y materiales electrónicos
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Tecnología Electrónica
  • Departamento: Sistemas Electrónicos y de Control
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