Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
G. KOBLMÜLLER, F. WU, T. MATES, J.S. SPECK, S. FERNANDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "High electron mobility GaN grown under N-rich conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy" Applied Physics Letters, 91, 221905-221907 (2007) ISSN: 0003-6951
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con la línea de investigación de Nanoestrucutras de Nitruros
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPL PHYS LETT
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
Información de impacto
Volumen
91
DOI
Número de revista
0
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Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: F. WU
  • Autor: J.S SPECK
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: T. MATES
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: G. KOBLMÜLLER
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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