Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con las lineas de investigacion delGrupo
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,171
Impact info
Volume
104
Journal number
0
From page
083510
To page
083514
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Autor: A. TRAMPERT
  • Autor: e. LUNA
  • Autor: J. CHRISTEN
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: F. BERTRAM
  • Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
  • Autor: R. GAGO
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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