Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con las lineas de investigacion delGrupo
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,171
Información de impacto
Volumen
104
DOI
Número de revista
0
Desde la página
083510
Hasta la página
083514
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. TRAMPERT
  • Autor: e. LUNA
  • Autor: J. CHRISTEN
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: F. BERTRAM
  • Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
  • Autor: R. GAGO
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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