Artículos en revistas:
Bowing of the band gap pressure coefficients in InGaN alloys
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,171 |
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Información de impacto
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Volumen
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103 |
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DOI
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Número de revista
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33514 |
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Desde la página
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033514 |
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Hasta la página
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033517 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: A. KAMINSKA
- Autor: A. YOSHIKAWA
- Autor: AL. GORCZYCA
- Autor: G. FRANSEN
- Autor: S.B. CHE
- Autor: E. LLIOPOULUS
- Autor: Elias Muñoz Merino UPM
- Autor: A. SVANE
- Autor: Y. ISHITANI
- Autor: T. SUSKI
- Autor: Juan Pereiro Viterbo UPM
- Autor: A. GEORGAKILAS
- Autor: N.E. CHRISTENSEN
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica