Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Bowing of the band gap pressure coefficients in InGaN alloys
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,171
Información de impacto
Volumen
103
DOI
Número de revista
33514
Desde la página
033514
Hasta la página
033517
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. KAMINSKA
  • Autor: A. YOSHIKAWA
  • Autor: AL. GORCZYCA
  • Autor: G. FRANSEN
  • Autor: S.B. CHE
  • Autor: E. LLIOPOULUS
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: A. SVANE
  • Autor: Y. ISHITANI
  • Autor: T. SUSKI
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: A. GEORGAKILAS
  • Autor: N.E. CHRISTENSEN
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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