Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Study of SiNx:Hy passivant layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
VER LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
ISSN
0370-1972
Factor de impacto JCR
1,071
Información de impacto
Volumen
5
DOI
Número de revista
2
Desde la página
518
Hasta la página
521
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. JIMENEZ
  • Autor: A.F BRAÑA
  • Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
  • Autor: Fernando González-Posada Flores (UPM)
  • Autor: R. GAGO
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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