Memorias de investigación
Artículos en revistas:
1/f Electrical Noise in Planar Resistors: The Joint Effect of a Backgating Noise and an Instrumental Disturbance
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Any planar resistor (channel) close to a conducting layer left floating (gate) forms a capacitor C whose thermal voltage noise (kT/C noise) has a backgating effect on the sheet resistance of the channel that is a powerful source of 1/f resistance noise in planar resistors and, hence, in planar devices. This 1/f spectrum is created by the bias voltage VDS applied to the resistor, which is a disturbance that takes it out of thermal equilibrium and changes the resistance noise that existed in the unbiased device. This theory, which gives the first electrical explanation for 1/f electrical noise, not only gives a theoretical basis for the Hooge’s formula but also allows the design of proper shields to reduce 1/f noise. Index
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT
ISSN
0018-9456
Factor de impacto JCR
0,832
Información de impacto
Volumen
57
DOI
10.1109
Número de revista
3
Desde la página
509
Hasta la página
517
Mes
MARZO
Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Departamento: Ingeniería Electrónica