Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Photoemission and Optical Studies of Electron Accumulation at InN and In-rich InGaN Surfaces
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
Congress
International Worshop on Nitride Semiconductor 2008
960
Place
Montreux (Suiza), 2008
Reviewers
No
ISBN/ISSN
0000-0000
Start Date
06/10/2008
End Date
10/10/2008
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Photoemission and Optical Studies of Electron Accumulation at InN and In-rich InGaN Surfaces
Participants
  • Autor: C.F MCCONVILLE
  • Autor: P.D.C KING
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: T.D VEAL
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: L.R BAILEY
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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