Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Analysis of germanium epiready wafers for III-V heteroepitaxy
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Frequently,whengrowingIII–Vsemiconductorsongermaniumsubstrates,unexpecteddifferences between nominallyidenticalsubstratesareencountered.Usingatomicforcemicroscopy(AFM),wehave analysed asetofgermaniumsubstratessharingthesamespecifications.Thesubstratescomefromthe same vendorbutdifferentresultscomeaboutintermsofthemorphologyoftheepilayersproducedby the sameepitaxialroutine(i.e. substrateW1 producedepilayerswithgoodmorphologywhile substrate WX produced epilayerswithdefects).Themorphologicalanalysishasbeencarriedouton(a)epiready substrates; (b)samplesafterahigh-temperaturebakeat700 1C; and(c)onthesamplesafterahydride (PH3) annealingat640 1C. Inthetwofirststagesallsubstrates(both W1 and WX) showthesamegood morphologywithRMSroughnessbelow3A˚ in allcases.Itisinthethirdstage(annealinginPH3) that the morphologydegradesandthedifferencesbetweenthesamplesbecomeapparent.Afterphosphine exposureat640 1C, theRMSroughnessofbothsubstratesapproximatelydoubles,andtheirsurface appearsasfullofpeaksandvalleysonthenanometrescale.Despitethegeneralappearanceofthe samplesbeingsimilar,acarefulanalysisoftheirsurfacerevealsthatthesubstratesthatproducebad morphologies(WX) showhigherpeaks,andsomeoftheirroughnessparameters,namely,surface kurtosis andthesurfaceskewness,areconsiderablydegraded.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,95
Información de impacto
Volumen
310
DOI
Número de revista
23
Desde la página
4803
Hasta la página
4807
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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