Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs 8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Nottingham (UK), 2008
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
Congress
8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Nottingham (UK), 2008
960
Place
Nottingham (UK), 2008
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000-0000
Start Date
01/09/2008
End Date
05/09/2008
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0
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs
Participants
  • Autor: D.J MOWBRAY
  • Autor: I.W DROUZAS
  • Autor: V. HAXHA
  • Autor: P.M KOENRAAD
  • Autor: M.A MIGLIORATO
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: H.Y LIU
  • Autor: M.J STEER
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: R. GARG
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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