Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs 8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Nottingham (UK), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
Internacional
Si
Nombre congreso
8th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Nottingham (UK), 2008
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Nottingham (UK), 2008
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
01/09/2008
Fecha fin congreso
05/09/2008
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Título de las actas
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: D.J MOWBRAY
  • Autor: I.W DROUZAS
  • Autor: V. HAXHA
  • Autor: P.M KOENRAAD
  • Autor: M.A MIGLIORATO
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
  • Autor: H.Y LIU
  • Autor: M.J STEER
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: R. GARG
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología