Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Growth and defect analysis of GaInP nucleation layers on germanium by MOVPE
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
The growth of III-V semiconductors on Ge substrates is a key issue for multijunction solar cells (MJC).
International
Si
Congress
14th International Conference on Metal Organic Vapour Phase Epitaxy
960
Place
Metz (Francia)
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
99-999-99999
Start Date
01/06/2008
End Date
06/06/2008
From page
339
To page
340
Proceedings
Participants
  • Autor: Pilar Espinet González (UPM)
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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