Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Compositional analysis and evolution of defects formed on GaInP epilayers grown on Germanium
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
The growth of III-V semiconductors on germanium substrates is a key issue for multijunction soalr cells (MJSCs).
International
Si
Congress
9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors
960
Place
Toledo (España)
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
99-999-99999
Start Date
29/06/2008
End Date
03/07/2008
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48
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49
Proceedings
Participants
  • Autor: V. Corregidor
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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