Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Compositional analysis and evolution of defects formed on GaInP epilayers grown on Germanium
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
The growth of III-V semiconductors on germanium substrates is a key issue for multijunction soalr cells (MJSCs).
Internacional
Si
Nombre congreso
9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Toledo (España)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
99-999-99999
DOI
Fecha inicio congreso
29/06/2008
Fecha fin congreso
03/07/2008
Desde la página
48
Hasta la página
49
Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: V. Corregidor
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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