Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del grupo
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
Información de impacto
Volumen
93
DOI
10.1063/1.3026541
Número de revista
19
Desde la página
191907
Hasta la página
191907-3
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: AUTOR PERTENECIENTE AL GRUPO DE INVESTIGACIÓN DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: SERGIO FERNÁNDEZ-GARRIDO
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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