Memorias de investigación
Proyecto de I+D+i:
CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOHILOS DEL GRUPO IV-OXIDOS DEL GRUPO II SOBRE OBLEAS DE SILICIO
Año:2009

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Crecimiento epitaxial de nanohilos del grupo IV-Oxidos del grupo II sobre obleas de silicio. El objetivo del proyecto es estudiar la viabilidad de crecer epitaxialmente mediante el proceso VLS (Vapor¿Liquid-Solid) nanohilos monocristalinos de silicio, germanio y aleaciones de silicio germanio de diferentes composiciones, utilizando obleas de Si monocristalinos con diferentes orientaciones ((100) y (111)) como templates. Una vez crecidos los nanohilos del grupo IV se procederá a crecer nanohilos de oxido de zinc utilizando como elemento catalizador la seminanobola de oro, existente en el extremo de los nanohilos semiconductores crecidos previamente. Es un proyecto cooperativo entre la Universidad Politécnica y las Universidades de Tucumán (Argentina) y de Sao Paulo (Brasil), subvencionado por la Universidad Politécnica de Madrid
Internacional
Si
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Entidad financiadora
Universidad Politécnica de Madrid
Nacionalidad Entidad
ESPAÑA
Tamaño de la entidad
Mediana Empresa (51-250)
Fecha concesión
01/01/2009

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica