Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
P. LEFEBVRE, S. ALBERT, J. RISTIC, M.-A. SÁNCHEZ-GARCÍA, E. CALLEJA. "Carrier localization and surface effects in InGaN nanocolumns grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy" Int. Workshop on Nitride Semiconductors - IWN 2010 Tampa (USA), 2010
Year:2010
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
International
Si
Congress
Int. Workshop on Nitride Semiconductors ¿ IWN 2010 Tampa (USA), 2010
960
Place
Tampa (USA), 2010
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
19/09/2010
End Date
24/09/2010
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Carrier localization and surface effects in InGaN nanocolumns grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Participants
  • Autor: Pierre Lefebvre . (UPM)
  • Autor: S. ALBERT
  • Autor: J. RISTIC
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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