Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ "Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs" Congreso Nacional de Materiales, Zaragoza (Spain), 2010
Year:2010
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
International
No
Congress
Congreso Nacional de Materiales Zaragoza (Spain), 2010
960
Place
Zaragoza (Spain), 2010
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
23/06/2010
End Date
25/06/2010
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Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs
Participants
  • Autor: D.F. REYES
  • Autor: D.L. SALES
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: D. GONZÁLEZ
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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