Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Conferences:
E. CALLEJA, A. BENGOECHEA-ENCABO, J. GRANDAL, S. FERNÁNDEZ, J. RISTIC, M.A. SANCHEZ-GARCÍA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, J.M. CALLEJA, E. GALLARDO, E.LUNA, A. TRAMPERT, U.JAHN. "Spontaneous and ordered growth of III-N nanocolumns by MBE: growth mechanisms and applications to Optoelectronic Devices". International Workshop on Nitride Semiconductors (IWNS 2010) Tampa, Florida (USA) 2010
Year:2010
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
International
Si
0000000000000
Entity
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWNS 2010) Tampa, Florida (USA) 2010
Entity Nationality
ESPAÑA
Place
Tampa, Florida (USA) 2010
Participants
  • Autor: J.M CALLEJA
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: E. GALLARDO
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: E. LUNA
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: U. JAHN
  • Autor: A. TRAMPERT
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Francesca Barbagini . (UPM)
  • Autor: Pierre Lefebvre . (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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