Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy
Year:2011
Research Areas
Information
Abstract
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,82
Impact info
Volume
99
10.1063/1.3614434
Journal number
3
From page
0
To page
3
Month
SIN MES
Ranking
14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Participants
  • Autor: z. gacevic (UPM)
  • Autor: s. fernandez-garrido (UPM)
  • Autor: j. m. rebled
  • Autor: s. estrade
  • Autor: f. peiro
  • Autor: e. calleja (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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