Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Año:2011
Áreas de investigación
  • Fisica lm -- sistemas de bajas dimensiones y mesoscopicos,
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
Descripción
articulo
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
journal of crystal growth
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,8
Información de impacto
Volumen
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2011.11.069
Número de revista
Desde la página
1
Hasta la página
6
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)