Observatorio de I+D+i UPM
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RESEARCHERS
RDI STRUCTURES
RESEARCH ACTIVITIES
INNOVATION
Investigador
Miguel Montes Bajo
Researcher Category
L.D. PRF.AYUD.DOCTOR
UPM Centre
E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Department:
ELECTRÓNICA FÍSICA, INGENIERÍA ELÉCTRICA Y FÍSICA APLICADA (N)
Research Centre/Institute
INST.SIST.OPTOELECT. MICROTECNOL. "ISOM"
Knowledge Area
FISICA APLICADA
Research Group:
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Email
miguel.montes
upm.es
Research Reports
Proyectos de I+D+i y generación de recursos
9 Proyectos de I+D+i
1: (2007)
"Ayudas para apoyar las líneas de I+D en el programa de creación y consolidación de grupos de investigación de la Universidad Politécnica de Madrid. CAM, Referencia: CCG07-UPM/000-3220"
2: (2007)
"Desarrollo de láseres horizontales y de cavidad vertical para la banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de GaInNAs/GaAs" Min. Educación y Ciencia, TEC2005-03694/MIC (2005-2008).
3: (2007)
"Nanoestructuras de Semiconductores como Componentes para la Información Cuántica (NANIC)" Min. Educación y Ciencia, Acción Estratégica en Nanotecnología. NAN2004-09109-C04-02. (2005-2008).
4: (2007)
"Nanoestructuras de Semiconductores como Componentes para la Información Cuántica (NANIC)" Min. Educación y Ciencia, Acción Estratégica en Nanotecnología. NAN2004-09109-C04-02. (2005-2008).
5: (2008)
Desarrollo de láseres horizontales y de cavidad vertical para la banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de GaInNAs/GaAs
6: (2008)
Desarrollo matriz de detectores multiespectral en el infrarrojo 3-5
7: (2008)
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV (THINKOXIDE)
8: (2015)
Zoterac: Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
9: (2018)
OXPLIR: Plasmónica basada en óxidos para fotodetectores de IR
Formación de Investigadores y Movilidad
1 Estancias y sabáticos recogidos en programas oficiales
1: (2007)
Estancia del Doctorando Miguel Montes Bajo, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), Sheffield, para el aprendizaje de técnicas de procesado de láseres estrechos, durante 3 meses, 18/09/2008 al 19/12/2007
Difusión de Resultados de Investigación
19 Artículos en revistas
1: (2008)
Analysis of the characteristic temperatures of (Ga,In)(N,As)/GaAs laser diodes
2: (2008)
Local vibration modes and nitrogen incorporation in AlGaAs: N layers
3: (2008)
Resonant Raman study of local vibrational modes in AlGaAsN layers
4: (2008)
Resonant Raman-active localized vibrational modes in AlyGa{1-y}NxAs{1-x} alloys: Experiment and firstprinciples calculations
5: (2009)
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers" Physical Status Solidi (c), 6, 6, 1424-1427 (2009)
6: (2010)
Current Spreading Efficiency and Fermi Level Pinning in GaInNAs-GaAs Quantum-Well Laser Diodes
7: (2010)
M. MONTES, A. GUZMAN, A. TRAMPERT, A. HIERRO, "1.3 µm emitting GaInNAs/GaAs quantum well resonant cavity LEDs", Solid-State Electronics 54, 492-496, 2010.
8: (2010)
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "External efficiency and carrier loss mechanisms in InAs/GaInNAs quantum dot light emitting diodes". Journal of Applied Physics 108, 033104/1-033104/8, 2010.
9: (2010)
M. MONTES, A. HIERRO, J. M ULLOA, J. MIGUEL-SÁNCHEZ, A. GUZMÁN, B. DAMILANO, M. HUGUES, M. AL KHALFIOUI, J.-Y. DUBOZ, J. MASSIES, "Current spreading efficiency and Fermi level pinning in GaInNAs/GaAs quantum well laser diodes" IEEE Journal of Quantum Electronics 46, 1058-1065, 2010.
10: (2016)
MOCVD growth of CdO very thin films: Problems and ways of solution
11: (2017)
Homoepitaxy of non-polar ZnO/(Zn,Mg)O multi-quantum wells: From a precise growth control to the observation of intersubband transitions
12: (2017)
Thermal Profiles Within the Channel of Planar Gunn Diodes Using Micro-Particle Sensors
13: (2018)
Breaking the Intersubband Selection Rules for Absorption with ZnO Quantum Wells: Light Polarization Sensitivity under Normal Incidence
14: (2018)
Cathodoluminescence characterization of Zno/Zns nanostructures anodized under hydrodynamic conditions
15: (2018)
Ga-doping of nonpolar m-plane ZnMgO with high Mg contents
16: (2018)
Intersubband transitions and many body effects in ZnMgO/ZnO quantum wells
17: (2018)
Multisubband Plasmons in Doped ZnO Quantum Wells
18: (2018)
Rock-salt CdZnO as a transparent conductive oxide
19: (2018)
Short infrared wavelength quantum cascade detectors based on m-plane ZnO/ZnMgO quantum wells
6 Conferencias invitadas en congresos
1: (2017)
Mind-IR Intersubband absorption in m-plane ZnO/ZnMgO MQWs
2: (2017)
Non-polar ZnO/(Zn,Mg)O heterostructures for intersubband devices: novel applications with an old material system
3: (2018)
Breakage of the polarization selection rules for intersubband transitions in ZnO/MgZnO quantum wells
4: (2018)
Homoepitaxy of non-polar ZnO/(Zn,Mg)O multi-quantum wells: from a precise growth control to the observation of intersubband transitions
5: (2018)
Intersubband transitions and many body effects in ZnMgO/ZnO quantum wells
6: (2018)
Phonon-intersubband transition coupling in MgZnO/ZnO quantum wells.
1 Cursos, seminarios y tutoriales
1: (2009)
D. Miguel Montes "InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot LEDs Emitting at 1.3-1.5 µm" February 27th, 2009
1 Otras Publicaciones
1: (2018)
Artículo de interés publicado en revista científica. Autores: M. Montes Bajo, J. Tamayo-Arriola, M. Hugues, JM. Ulloa, Nolwenn Le Biavan, R. Peretti, F. H. Julien, J.Faist, J-M Chauveau, A. Hierro, Título: 'Multisubband Plasmons in Doped ZnO Quantum Wells', Revista: Physics Review Applied, Editor's Suggestion, vol. 10, 024005 (2018)
20 Ponencia en Congresos
1: (2007)
J. Miguel-Sánchez, M. Montes, A. Hierro, R. Gargallo-Caballero, A. Guzmán, E. Muñoz, S. Lazic, E. Gallardo, J. M. Calleja "Growth And Characterization Of Algaas(N) On Gaas" 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop 2007 Sierra Nevada, Granada (ESPAÑA) 5 al 7 de marzo de 2007
2: (2007)
J. Miguel-Sánchez, M. Montes, A. Hierro, R. Gargallo-Caballero, A. Guzmán, E. Muñoz, S. Lazic, E. Gallardo, J. M. Calleja "Growth And Characterization Of Algaas(N) On Gaas" 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop 2007 Sierra Nevada, Granada (ESPAÑA) 5 al 7 de marzo de 2007
3: (2007)
M. Montes, A. Hierro, B. Damilano, M. Hugues, M. Al Khalfioui, J.-Y. Duboz, J. Massies "Analysis Of Gain Spectra and Fermi Level Pinning Of Gainnas/Gaas Quantum Well Lasers With 0 To 3.3% N Content" European Materials Research Society 2007 Spring Meeting Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
4: (2007)
M. Montes, A. Hierro, J.M. Ulloa, B. Damilano, M. Hugues, M. Al Khalfioui, J.-Y. Duboz, J. Massies "Role of N plasma species on the morphology and luminescence of InAsN quantum dots grown by MBE" European Materials Research Society (E-MRS) Spring Meeting Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
5: (2007)
S. Lazic, E. Gallardo, J.M. Calleja, J. Miguel-Sánchez, M. Montes, A. Hierro, R. Gargallo-Caballero, A. Guzmán, E. Muñoz, A.M Teweldeberhan, S.Fahy "Resonant Raman study of local vibrational modes in AlxGa1-xAs1-yNy layers" 13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-13) Génova (Italia) 15 al 20 de julio de 2007
6: (2007)
S. Lazić, E. Gallardo, J.M. Calleja, J. Miguel-Sánchez, M. Montes, A. Hierro, R. Gargallo-Caballero, A. Guzmán, E. Muñoz, A.M Teweldeberhan, S.Fahy "Resonant Raman study of local vibrational modes in AlxGa1-xAs1-yNy layers" 13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-13) Génova (Italia) 15 al 20 de julio de 2007
7: (2008)
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
8: (2009)
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 2009
9: (2009)
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (France), 2009
10: (2009)
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (France), 2009
11: (2009)
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot LEDs Emitting at 1.3-1.5 ìm" 7th Spanish Conference on Electron Devices 2009 Santiago Compostela (Spain), 2009
12: (2016)
Infrared intersubband absorption from non-polar homoepitaxial m-ZnO/ZnMgO MQWs
13: (2016)
Non polar ZnO/(Zn,Mg)O homoepitaxial heterostructures for intersubband devices
14: (2016)
Non polar ZnO/(Zn,Mg)O multiple quantum wells for intersubband devices grown on ZnO bulk substrates
15: (2017)
Electrical and transport characteristics of non-polar m-plane Ga:MgxZn1-xO
16: (2017)
Intersubband spectroscopy of ZnO/ZnMgO quantum wells grown on m-plane ZnO substrates for quantum cascade device applications
17: (2017)
Intersubband Transitions and Polarons in (Zn,Mg)O/ZnO Quantum Wells
18: (2018)
Bandgap energy and electrical properties of cubic Cd1-xZnxO
19: (2018)
Effect of GaAs(Sb)(N) capping layers on (un)coupled In/GaAs multi quantum dot layers for enhanced solar cells
20: (2018)
Interfacial phonon resonances in ZnO/MgZnO quantum wells : a compositional calibration tool
• TOMA DE DATOS DE MEMORIAS Y CV
• UPM.ES
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)
