Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Influence of temperature and drain current on source and drain resistances in AlGaN/GaN HEMTs
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SOLID-STATE ELECTRONICS
ISSN
0038-1101
Factor de impacto JCR
1,438
Información de impacto
Volumen
63
DOI
10.1016/j.sse.2011.05.021
Número de revista
1
Desde la página
184
Hasta la página
188
Mes
Ranking
54/116 PHYSICS, APPLIED (SCI); 32/67 PHYSICS, CONDENSED MATTER (SCI); 79/247 ENGINEERING, ELECTRICAL AND ELECTRONIC (SCI)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: r. cuerdo (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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