Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Growth of AlN oriented films on insulating substrates
Año:2011
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
This work describes the structural and piezoelectric assessment of aluminum nitride (AlN) thin films deposited by pulsed-DC reactive sputtering on insulating substrates. We investigate the effect of different insulating seed layers on AlN properties (crystallinity, residual stress and piezoelectric activity). The seed layers investigated, silicon nitride (Si3N4), silicon dioxide (SiO2), amorphous tantalum oxide (Ta2O5), and amorphous or nano-crystalline titanium oxide (TiO2) are deposited on glass plates to a thickness lower than 100 nm. Before AlN films deposition, their surface is pre-treated with a soft ionic cleaning, either with argon or nitrogen ions. Only AlN films grown of TiO2 seed layers exhibit a significant piezoelectric activity to be used in acoustic device applications. Pure c-axis oriented films, with FWHM of rocking curve of 6º, stress below 500 MPa, and electromechanical coupling factors measured in SAW devices of 1.25% are obtained. The best AlN films are achieved on amorphous TiO2 seed layers deposited at high target power and low sputtering pressure. On the other hand, AlN films deposited on Si3N4, SiO2 and TaOx exhibit a mixed orientation, high stress and very low piezoelectric activity, which invalidate their use in acoustic devices.
Internacional
Si
Nombre congreso
2011 IEEE International Ultrasonics Symposium
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Orlando, EE. UU.
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1051-0117
DOI
10.1109/ULTSYM.2011.0428
Fecha inicio congreso
18/10/2011
Fecha fin congreso
21/10/2011
Desde la página
1716
Hasta la página
1719
Título de las actas
2011 IEEE International Ultrasonics Symposium Proc.
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Tecnología Electrónica