Ponencias en congresos:
Understanding the selective area nucleation and growth of GaN Nanocolumns by MBE using Ti nanomasks
Understanding the selective area nucleation and growth of GaN Nanocolumns by MBE using Ti nanomasks
Año:2011
Áreas de investigación
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Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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5th French GDR ?Semiconductors Nanowires and Nanotubes? |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Porquerolles (France) 2011 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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02/11/2011 |
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Fecha fin congreso
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04/11/2011 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: Francesca Barbagini . (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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