Conferencias:
Understanding the Selective Area Nucleation and Growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks
Understanding the Selective Area Nucleation and Growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks
Año:2011
Áreas de investigación
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Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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ISSN o ISBN
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0000000000000 |
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Entidad relacionada
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2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Lugar del congreso
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Granada, España |
Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Francesca Barbagini . (UPM)
- Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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