Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of the Ga/In ratio on the N incorporation into (In,Ga)(As,N) quantum dots
Año:2012
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,064
Información de impacto
Volumen
111
DOI
10.1063/1.4706559
Número de revista
8
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7
Mes
Ranking
33/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: r. gargallo-caballero (UPM)
  • Autor: a. guzman (UPM)
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: m. hopkinson
  • Autor: e. luna
  • Autor: a. trampert
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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