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Vertical conduction properties of few-layer epitaxial graphene / n-type 4H-SiC heterojunctions at cryogenic temperatures
Vertical conduction properties of few-layer epitaxial graphene / n-type 4H-SiC heterojunctions at cryogenic temperatures
Año:2012
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Applied Physics Letters |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,844 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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100 |
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Desde la página
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193506 |
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Hasta la página
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193509 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: T. J. Anderson
- Autor: K. D. Hobart
- Autor: L. O. Nyakiti
- Autor: et al
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- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
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