Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Deep levels in a-plane, high Mg-content MgxZn1-xO epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Volumen
DOI
112
Número de revista
Desde la página
123709/1-1
Hasta la página
123709/1-7
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Gema Tabares Jimenez (UPM)
  • Autor: E. Gur
  • Autor: A. Arehart
  • Autor: J.M Chauveau
  • Autor: S.A Ringel
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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