Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of the oxygen isoelectronic substitution in Cu2ZnSnS4 and its photovoltaic application
Año:2012
Áreas de investigación
  • Química,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Tecnologías de integración para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
The optoelectronic properties of Cu2ZnSnS4 and environmental considerations have attracted significant interest for photovoltaics. Using first-principles, we analyze the possible improvement of this material as a photovoltaic absorber via the isoelectronic substitution of S with O atoms. The evolution of the acceptor level is analyzed with respect to the atomic position of the nearest neighbors of the O atom. We estimate the maximum efficiency of this compound when used as a light absorber. The presence of the sub-band gap level below the conduction band could increases the solar-energy conversion with respect to the host.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
Factor de impacto JCR
1,89
Información de impacto
Volumen
520
DOI
10.1016/j.tsf.2012.03.020
Número de revista
15
Desde la página
5011
Hasta la página
5013
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física