Ponencias en congresos:
On Surface trap and extended dislocation network in III-nitride Heterostructures
On Surface trap and extended dislocation network in III-nitride Heterostructures
Año:2012
Áreas de investigación
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Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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E-MRS, Symp. T ?Physics and Applications of Novel gain materials based on Nitrogen and Bismuth Containing III-V Compound?, |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Strasburgo, Francia |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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14/05/2012 |
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Fecha fin congreso
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17/05/2012 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
- Autor: S. Pandey
- Autor: A Minj
- Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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