Memorias de investigación
Communications at congresses:
On Surface trap and extended dislocation network in III-nitride Heterostructures
Year:2012

Research Areas
  • Engineering

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php
International
Si
Congress
E-MRS, Symp. T ?Physics and Applications of Novel gain materials based on Nitrogen and Bismuth Containing III-V Compound?,
960
Place
Strasburgo, Francia
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
14/05/2012
End Date
17/05/2012
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0
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
  • Autor: Tommaso Brazzini . UPM
  • Autor: S. Pandey
  • Autor: A Minj
  • Autor: et al

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica