Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Patentes:
Simulación Unión Túnel
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Método implementado en computador para la simulación numérica de un dispositivo semiconductor que comprende uniones túnel
Internacional
Si
Estado
Solicitada
Referencia Patente Prioritaria
EP10382076.7.
En explotación
No
Licenciatarios
Fecha solicitud
05/04/2010
Titulares aparte de la UPM
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Pilar Espinet González (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Mathieu Baudrit
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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