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Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures
Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures
Año:2012
Áreas de investigación
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Fisica sm -- estructura de materiales, -
Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas,
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Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
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Descripción
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| In order to clarify the effect of charged dislocations and surface donor states on the transport mechanisms in polar AlInN/AlN/GaN heterostructures, we have studied the current-voltage characteristics of Schottky junctions fabricated on AlInN/AlN/GaN heterostructures. The reverse-bias leakage current behaviour has been interpreted with a Poole-Frenkel emission of electrons from trap states near the metal-semiconductor junction to dislocation induced states. The variation of the Schottky barrier height as a function of the AlN layer thickness has been measured and discussed, considering the role of the surface states in the formation of the two dimensional electron gas at AlN/GaN interface. | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Applied Physics Letters |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,844 |
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Información de impacto
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Datos JCR del año 2011 |
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Volumen
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100 |
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DOI
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Número de revista
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Desde la página
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152116-1 |
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Hasta la página
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152116-4 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Saurabh Pandey (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Daniela Cavalcoli (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Beatrice Fraboni (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Anna Cavallini (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
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- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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