Ponencias en congresos:
Electrical and surface characterization of wet-etched InAlN/AlN/GaN HEMTs
Electrical and surface characterization of wet-etched InAlN/AlN/GaN HEMTs
Año:2012
Áreas de investigación
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Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas, -
Tecnología química,
-
Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
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Descripción
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| Electrical and surface characterization of wet-etched InAlN/AlN/GaN HEMTs | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Electronic Materials Conference (EMC2012) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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University Park, Pennsylvania (USA) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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000-0-0000-0000-0 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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20/06/2012 |
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Fecha fin congreso
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22/06/2012 |
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Desde la página
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1 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Actas del EMC2012 |
Participantes
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: Travis J. anderson (United States Naval Research Laboratory)
- Autor: N. Nepal (United States Naval Research Laboratory)
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: H. Behmenburg (AIXTRON)
- Autor: C. Giesen (AIXTRON)
- Autor: M. Heuken (AIXTRON)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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