Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Uniform Low-to-High In Composition InGaN Layers Grown on Si
Year:2013

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS EXPRESS
ISBN
1882-0778
Impact factor JCR
3,013
Impact info
Volume
6
10.7567/APEX.6.115503
Journal number
11
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0
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4
Month
SIN MES
Ranking
0
Participants
  • Autor: Pavel Aseev . UPM
  • Autor: Paul Soto Rodriguez UPM
  • Autor: Praveen Kumar . UPM
  • Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez UPM
  • Autor: Naveed Ul Hassan Alvi UPM
  • Autor: jose m. manuel
  • Autor: francisco m. morales
  • Autor: J.J. Jiménez
  • Autor: Rafael García
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
  • Autor: Richard Notzel . UPM

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica