Memorias de investigación
Communications at congresses:
Gd2O3 gate dielectric for AlGaN/GaN HEMTs
Year:2013

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemicondu
International
Si
Congress
22th European Workshop on Heterostructures Technology
960
Place
Glasgow (UK), 2013
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
09/09/2013
End Date
11/09/2013
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0
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: Veronica Gao Zhan UPM
  • Autor: Fatima Romero Rojo UPM
  • Autor: M.A Pampillon
  • Autor: E. San Andrés
  • Autor: Sara Martin Horcajo UPM
  • Autor: Tommaso Brazzini . UPM
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica