Tesis:
Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds.- Doctorado Internacional-PhD Degree with International Honourable Mention)
Año:2013
Áreas de investigación
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM
http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
ISBN
Tipo de Tesis
Doctoral
Calificación
Sobresaliente
Fecha
20/12/2013
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Director: Tommaso Brazzini . (UPM)
Director: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología