Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Amplificador de Potencia de RF Clase AB de Banda Ancha usando Transistores basados en Tecnología GaN HEMT
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Amplificador de Potencia de RF Clase AB de Banda Ancha usando Transistores basados en Tecnología GaN HEMT
Internacional
Si
Nombre congreso
Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2013 (SAAEI'13)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Madrid
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-84-933682-3-4
DOI
Fecha inicio congreso
10/07/2013
Fecha fin congreso
12/07/2013
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Título de las actas
Acta del Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2013 (SAAEI'13)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Cesar Benavente Peces (UPM)
  • Autor: Javier Torres Lopez-Sepulveda (UPM)
  • Autor: David Tena Ramos (UPM)
  • Autor: Fco. Javier Ortega Gonzalez (UPM)
  • Autor: Jose Manuel Pardo Martin (UPM)
  • Autor: Moises Patiño Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Ingeniería de Radio (GIRA)
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Electrónica Industrial. CEI
  • Departamento: Ingeniería de Circuitos y Sistemas
  • Departamento: Ingeniería Audiovisual y Comunicaciones
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