Ponencias en congresos:
Amplificador de Potencia de RF Clase AB de Banda Ancha usando Transistores basados en Tecnología GaN HEMT
Amplificador de Potencia de RF Clase AB de Banda Ancha usando Transistores basados en Tecnología GaN HEMT
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Amplificador de Potencia de RF Clase AB de Banda Ancha usando Transistores basados en Tecnología GaN HEMT | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2013 (SAAEI'13) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Madrid |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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978-84-933682-3-4 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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10/07/2013 |
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Fecha fin congreso
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12/07/2013 |
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Desde la página
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1013 |
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Hasta la página
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1013 |
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Título de las actas
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Acta del Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2013 (SAAEI'13) |
Participantes
- Autor: Cesar Benavente Peces (UPM)
- Autor: Javier Torres Lopez-Sepulveda (UPM)
- Autor: David Tena Ramos (UPM)
- Autor: Fco. Javier Ortega Gonzalez (UPM)
- Autor: Jose Manuel Pardo Martin (UPM)
- Autor: Moises Patiño Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Ingeniería de Radio (GIRA)
- Centro o Instituto I+D+i: Centro de Electrónica Industrial. CEI
- Departamento: Ingeniería de Circuitos y Sistemas
- Departamento: Ingeniería Audiovisual y Comunicaciones
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