Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of Intrinsic Stress in Diamond Capping Layers on the Electrical Behavior of AlGaN/GaN HEMTs
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
Factor de impacto JCR
2,318
Información de impacto
Volumen
60
DOI
10.1109/TED.2013.2275031
Número de revista
10
Desde la página
3149
Hasta la página
3156
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: fernando calle (UPM)
  • Autor: marko j. tadjer (UPM)
  • Autor: travis j. anderson
  • Autor: roland baranyai
  • Autor: james w. pomeroy
  • Autor: tatyana i. feygelson
  • Autor: karl d. hobart
  • Autor: bradford b. pate
  • Autor: martin kuball
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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