Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Highly conductive p ++ -AlGaAs/n ++ -GaInP tunnel junctions for ultra-high concentrator solar cells
Año:2014
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Células solares,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Tunnel junctions are key for developing multijunction solar cells (MJSC) for ultra-high concentration applications. We have developed a highly conductive, high bandgap p ?+?+?-AlGaAs/n ?+?+?-GaInP tunnel junction with a peak tunneling current density for as-grown and thermal annealed devices of 996?A/cm 2 and 235?A/cm 2, respectively. The J?V characteristics of the tunnel junction after thermal annealing, together with its behavior at MJSCs typical operation temperatures, indicate that this tunnel junction is a suitable candidate for ultra-high concentrator MJSC designs. The benefits of the optical transparency are also assessed for a lattice-matched GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cell, yielding a current density increase in the middle cell of 0.506?mA/cm 2 with respect to previous designs.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Progress in Photovoltaics
ISSN
1062-7995
Factor de impacto JCR
9,696
Información de impacto
Volumen
22
DOI
Número de revista
4
Desde la página
399
Hasta la página
404
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física