Proyecto de I+D+i:
RESONADORES DE ALTA FRECUENCIA EN ESTRUCTURAS ALN/DIAMANTE
RESONADORES DE ALTA FRECUENCIA EN ESTRUCTURAS ALN/DIAMANTE
Año:2014
Áreas de investigación
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Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Descripción (no titulo, sino descripción, de 4 a 6 lineas). Proyecto dedicado al desarrollo de dispositivos electroacústicos basados en estructuras de piezoeléctricos de nitruros III-V sobre diamante. En concreto, se aprovechan así la tecnología de película delgada y las buenas características piezoeléctricas de AlN y las excepcionales propiedades de diamante. Se optimizó la calidad del material y se fabricaron filtros de ultra-alta frecuencia para comunicaciones y sensores de presión | |
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Internacional
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No |
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Tipo de proyecto
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Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas |
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Entidad financiadora
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MINECO |
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Nacionalidad Entidad
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ESPAÑA |
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Tamaño de la entidad
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Gran Empresa (>250) |
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Fecha concesión
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05/11/2010 |
Participantes
- Director: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)