Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Proyecto de I+D+i:
ALEACIONES EMERGENTES DE NITRUROS DILUIDOS III-V Y NANOESTRUCTURAS RELACIONADAS PARA APLICACIONES FOTOVOLTÁICAS Y DE FOTODECTECCIÓN DE ALTA EFICIENCIA
Año:2014
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Se pretende desarrollar dispositivos fotovoltaicos de alta eficiencia basados en la aleación semiconductora novedosa GaAsSbN explorando (nano)estructuras de distinta dimensionalidad. En el proyecto se realizará todo el proceso desde el crecimiento del material por epitaxia de haces moleculares y su caracterización óptica y estructural, hasta la fabricación y caracterización de dispositivos (en particular células solares y fotodetectores)
Internacional
No
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Entidad financiadora
MINECO
Nacionalidad Entidad
ESPAÑA
Tamaño de la entidad
Gran Empresa (>250)
Fecha concesión
01/08/2014
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Director: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ciencia de Materiales
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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