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Descripción
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| Se pretende desarrollar dispositivos fotovoltaicos de alta eficiencia basados en la aleación semiconductora novedosa GaAsSbN explorando (nano)estructuras de distinta dimensionalidad. En el proyecto se realizará todo el proceso desde el crecimiento del material por epitaxia de haces moleculares y su caracterización óptica y estructural, hasta la fabricación y caracterización de dispositivos (en particular células solares y fotodetectores) | |
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Internacional
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No |
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Tipo de proyecto
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Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas |
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Entidad financiadora
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MINECO |
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Nacionalidad Entidad
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ESPAÑA |
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Tamaño de la entidad
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Gran Empresa (>250) |
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Fecha concesión
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01/08/2014 |