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Growth of InGaN/GaN core-shell structures on selectively etched GaN rods by molecular beam epitaxy
Growth of InGaN/GaN core-shell structures on selectively etched GaN rods by molecular beam epitaxy
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
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ISSN
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0022-0248 |
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Factor de impacto JCR
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1,552 |
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Información de impacto
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Volumen
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392 |
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DOI
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10.1016/j.jcrysgro.2014.01.030 |
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Número de revista
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Desde la página
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5 |
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Hasta la página
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10 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
Steven Albert . (UPM) - Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
- Autor: m. sabido-siller (UPM)
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: m. mueller
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: g. schmidt
- Autor: s. metzner
- Autor: p. veit
- Autor: f. bertram
- Autor: j. christen
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- Departamento: Ingeniería Electrónica
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