Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Growth of InGaN/GaN core-shell structures on selectively etched GaN rods by molecular beam epitaxy
Año:2014

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,552
Información de impacto
Volumen
392
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2014.01.030
Número de revista
Desde la página
5
Hasta la página
10
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: Steven Albert . UPM
  • Autor: a. bengoechea-encabo UPM
  • Autor: m. sabido-siller UPM
  • Autor: m. a. sanchez-garcia UPM
  • Autor: m. mueller
  • Autor: e. calleja UPM
  • Autor: g. schmidt
  • Autor: s. metzner
  • Autor: p. veit
  • Autor: f. bertram
  • Autor: j. christen

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica