Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Analysis of thermo-mechanical stress effects on CPV receiver under high intensity light cycles
Año:2014
Áreas de investigación
  • Células solares,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
External quantum efficiency measurement of multijunction solar cells is not an easy task. In this paper we propose to trace the I-V curve of the multijunction device under the same light bias conditions intended to be applied for the EQE measurement as an effective way to minimize artifacts and determine the optimum light and voltage bias conditions for the measurement. In this way, the analysis of the I-V curve will help to determine the proper voltage bias needed (if any), as well as to distinguish whether the external quantum efficiency measurement is being affected by shunt problems, early breakdown or luminescent coupling. This is of special relevance in order to determine the origin of the measurement artifact affecting the external quantum efficiency measurement of MJSCs.
Internacional
Si
Nombre congreso
40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Denver, CO (EEUU)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4799-4398-2
DOI
10.1109/pvsc.2014.6925676
Fecha inicio congreso
08/06/2014
Fecha fin congreso
13/06/2014
Desde la página
3453
Hasta la página
3456
Título de las actas
Proc. 40th IEEE PVSC
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes (UPM)
  • Autor: Pilar Espinet González (UPM)
  • Autor: Y. Contreras
  • Autor: Laura Barrutia Poncela (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
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