Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Field-dependent photoluminescence of InAlN/GaN based HEMT structures
Año:2014
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos
Datos
Descripción
The optical properties of InAlN/GaN based HEMT structures were examined by field-dependent photoluminescence spectroscopy as a function of temperature. Samples grown on Si subtrate were investigated. On top of a thick GaN buffer layer, an InAlN barrier of 10 nm causes a two-dimensional electron gas (2DEG), which dominates PL spectra at low temperatures at energies slightly below the donor-bound exciton. Semi-transparent metal contacts were processed either directly on top of the structures or seperated by an additional high-k dielectric, serving as Schottky or MIS diodes, respectively. Free exciton recombinations of the GaN buffer were observed for higher temperatures and allow determination of the strain in the GaN layer. Due to sample structure PL measurements exhibit mostly GaN related features.
Internacional
Si
Nombre congreso
DPG Spring Meeting
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Desden, Germany
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
30/03/2014
Fecha fin congreso
03/04/2014
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Título de las actas
DPG Spring Meeting
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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