Ponencias en congresos:
Stacked GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots for enhanced solar cell efficiency
Año:2014
Áreas de investigación
- Fisica y ciencias del espacio,
- Física,
- Fisica sm -- estructura de materiales
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Stacked GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots for enhanced solar cell efficiency | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
18th Internationa conference on Molecular Beam Epitaxy |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Flagstaff, Arizona, USA |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
0000000000000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
07/12/2014 |
|
Fecha fin congreso
|
09/12/2014 |
|
Desde la página
|
10 |
|
Hasta la página
|
15 |
|
Título de las actas
|
18th Internationa conference on Molecular Beam Epitaxy |
Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Antonio David Utrilla Lomas UPM
- Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
- Autor: Zarko Gacevic Jovanovic UPM
- Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez UPM
- Autor: Adrian Hierro Cano UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Departamento: Ciencia de Materiales
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología