Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Influence of fabrication steps on optical and electrical properties of InN thin films
Año:2014
Áreas de investigación
  • Física,
  • Fisica sm -- estructura de materiales,
  • Dispositivos electrónicos
Datos
Descripción
This paper reports on a case study of the impact of fabrication steps on InN material properties. We discuss the influence of annealing time and sequence of device processing steps. Photoluminescence (PL), surface morphology and electrical transport (electrical resistivity and low frequency noise) properties have been studied as responses to the adopted fabrication steps. Surface morphology has a strong correlation with annealing times, while sequences of fabrication steps do not appear to be influential. In contrast, the optical and electrical properties demonstrate correlation with both etching and thermal annealing. For all the studied samples PL peaks were in the vicinity of 0.7 eV, but the intensity and full width at half maximum (FWHM) demonstrate a dependence on the technological steps followed. Sheet resistance and electrical resistivity seem to be lower in the case of high defect introduction due to both etching and thermal treatments. The same effect is revealed through 1/f noise level measurements. A reduction of electrical resistivity is connected to an increase in 1/f noise level.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Semiconductor Science And Technology
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
2,206
Información de impacto
Volumen
29
DOI
doi:10.1088/0268-1242/29/9/095010
Número de revista
9
Desde la página
095010-1
Hasta la página
095010-8
Mes
AGOSTO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Javier Grandal Quintana (Paul Drude Institut of Berlin)
  • Autor: Maria del Carmen Sabido Siller (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial
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