Artículos en revistas:
Stranski-Krastanov InN/InGaN quantum dots grown directly on Si(111)
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,515 |
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Información de impacto
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Volumen
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106 |
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DOI
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10.1063/1.4905662 |
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Número de revista
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2 |
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: pavel aseev UPM
- Autor: victor j. gomez UPM
- Autor: praveen kumar UPM
- Autor: naveed ul hassan alvi
- Autor: enrique calleja UPM
- Autor: jose m. manuel
- Autor: paul e. d. soto rodriguez
- Autor: francisco m. morales
- Autor: juan j. jimenez
- Autor: rafael garcia
- Autor: alexander senichev
- Autor: christoph lienau
- Autor: richard noetzel
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica