Memorias de investigación
Communications at congresses:
Capping layer growth rate and the optical and structural properties of GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots
Year:2015
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications,
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil)
Information
Abstract
Relacionado con línea de Investigación del GDS DEL ISOM
International
Si
Congress
SPIE Photonics West, San Francisco, (USA), 2015
960
Place
San Francisco, (USA), 2015
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
07/02/2015
End Date
12/02/2015
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0
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3
Proceedings
Participants
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales