Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Capping layer growth rate and the optical and structural properties of GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots
Año:2015
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
Descripción
Relacionado con línea de Investigación del GDS DEL ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
SPIE Photonics West, San Francisco, (USA), 2015
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
San Francisco, (USA), 2015
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
07/02/2015
Fecha fin congreso
12/02/2015
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales