Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Estancias o Sabáticos:
Diseño y crecimiento mediante epitaxia de haces moleculares (MBE) de heterostructuras de ZnO/ZnMgO para la realización de dispositivos optoelectrónicos
Año:2015
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Durante la realización de la estancia, se ha participado activamente en el diseño y crecimiento mediante epitaxia de haces moleculares (MBE) de heterostructuras de ZnO/ZnMgO para la realización de dispositivos optoelectrónicos. Asimismo, se ha aprendido a realizar, y se ha realizado, la caracterización estructural de los mismos mediante las técnicas de microscopía de fuerza atómica (AFM por sus siglas en inglés) y difracción de rayos X, a fin de validar las correctas condiciones del crecimiento, tanto en calidad como en grosor y composición de las capas. Además, se ha participado en el procesado de estructuras de diodos de efecto túnel en ZnO/ZnMgO con distintos grosores y concentraciones, y su caracterización mediante técnicas eléctricas, a fin de validar este mecanismo de transporte mediante efecto túnel en este material, que hasta la fecha no consta que se haya realizado por ningún otro grupo. Por último, se presentó el seminario titulado ?Deep Level Spectroscopy and its applications to Zn(Mg)O? dentro del ciclo de seminarios del CRHEA, a fin de dar difusión y conocimiento a las técnicas empleadas durante la realización de la tesis doctoral y el trabajo en el ISOM.
Internacional
Si
Lugar
CRHEA, Francia
Tipo
Fecha inicio
05/10/2015
Fecha fin
15/12/2015
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Alejandro Kurtz De Griño (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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