Otras publicaciones:
P. Aseev, P.E.D. Soto Rodríguez, V.J. Gómez, N. Ul Hassan Alvi, J.M. Manuel, F.M. Morales, J.J. Jimenez, R. García, A. Senichev, C. Lienau, E. Calleja and R. Nötzel, 'Near-infrared emitting In-rich InGaN layers grown directly on Si: Towards the whole composition range' (Applied Physics Letters) http://www.semiconductor-today.com/news_items/2015/mar/maxplanck_180315.shtml Pavel Aseev pavel.aseev@isom.upm.es
P. Aseev, P.E.D. Soto Rodríguez, V.J. Gómez, N. Ul Hassan Alvi, J.M. Manuel, F.M. Morales, J.J. Jimenez, R. García, A. Senichev, C. Lienau, E. Calleja and R. Nötzel, 'Near-infrared emitting In-rich InGaN layers grown directly on Si: Towards the whole composition range' (Applied Physics Letters) http://www.semiconductor-today.com/news_items/2015/mar/maxplanck_180315.shtml Pavel Aseev pavel.aseev@isom.upm.es
Año:2015
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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Si |
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Entidad
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Lugar
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Páginas
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Referencia/URL
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http://www.semiconductor-today.com/news_items/2015/mar/maxplanck_180315.shtml |
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Tipo de publicación
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Otras publicaciones |
Participantes
- Autor: Pavel Aseev (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: Praveen Kumar . (UPM)
- Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
- Autor: et al
- Autor: Naveed Ul Hassan Alvi (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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