Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint
Year:2016

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISBN
0022-0248
Impact factor JCR
1,698
Impact info
Volume
447
10.1016/j.jcrysgro.2016.04.007
Journal number
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48
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54
Month
Ranking
0
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica