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Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint
Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
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ISSN
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0022-0248 |
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Factor de impacto JCR
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1,698 |
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Información de impacto
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Volumen
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447 |
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DOI
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10.1016/j.jcrysgro.2016.04.007 |
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Número de revista
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Desde la página
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48 |
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Hasta la página
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54 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
v. j. gomez (UPM) - Autor: z. gacevic (UPM)
- Autor: p. e. d. soto-rodriguez
- Autor: p. aseev (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: r. notzel
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
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