Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,698
Información de impacto
Volumen
447
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2016.04.007
Número de revista
Desde la página
48
Hasta la página
54
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: v. j. gomez (UPM)
  • Autor: z. gacevic (UPM)
  • Autor: p. e. d. soto-rodriguez
  • Autor: p. aseev (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: r. notzel
  • Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)